Detalles MARC
000 -CABECERA |
campo de control de longitud fija |
01672cam a2200373 a 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL |
campo de control |
16284731 |
005 - FECHA Y HORA DE ACTUALIZACIÓN |
005 |
20231003082500.0 |
008 - LONGITUD FIJA |
campo de control de longitud fija |
100615s2010 nyua b 001 0 eng |
010 ## - NÚMERO DE CONTROL DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
Número de control de LC |
2010022678 |
015 ## - NÚMERO DE BIBLIOGRAFÍA NACIONAL |
Número de bibliografía nacional |
GBB011406 |
Fuente |
bnb |
016 7# - NÚMERO DE CONTROL DE UNA AGENCIA BIBLIOGRÁFICA NACIONAL |
Número de control del registro |
015478365 |
Fuente |
Uk |
020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER |
ISBN |
9780071635196 (alk. paper) |
020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER |
ISBN |
007163519X (alk. paper) |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
Número de control de sistema |
(OCoLC)ocn426811674 |
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN |
Centro catalogador/agencia de origen |
DLC |
Centro/agencia transcriptor |
EC-QuPUC |
Centro modificador |
DLC |
Lengua de catalogación |
Español |
Normas de descripción |
rda |
Catalogador |
|
041 ## - IDIOMA |
idioma |
Inglés |
100 1# - AUTOR PERSONAL |
nombre |
Kundu, Sandip. |
245 10 - TÍTULO PROPIAMENTE DICHO |
título |
Nanoscale CMOS VLSI circuits : |
subtítulo |
design for manufacturability / |
Mención de responsabilidad, etc. |
Sandip Kundu, Aswin Sreedhar |
246 14 - VARIANTE DEL TÍTULO |
título |
Nanoscale complementary metal oxide semiconductor very large-scale integration circuits |
264 #1 - PIE DE IMPRENTA |
lugar (ciudad) |
New York : |
editorial |
McGraw-Hill, |
fecha |
2010. |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extensión |
xv, 296 p. : |
Ilustraciones |
ill. ; |
Dimensiones |
24 cm. |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
Término de tipo de contenido |
texto |
337 ## - MEDIACIÓN |
Nombre/término del tipo de medio |
no mediado |
338 ## - PORTADOR |
Nombre/término del tipo de soporte |
volumen |
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA |
Bibliografía, etc. |
Includes bibliographical references and index. |
505 0# - NOTA DE CONTENIDO |
Nota de contenido |
Semiconductor manufacturing -- Process and device variability : analysis and modeling -- Manufacturing-aware physical design closure -- Metrology, manufacturing defects, and defect extraction -- Defect impact modeling and yield improvement techniques -- Physical design and reliability -- Design for manufacturability : tools and methodologies. |
700 1# - COAUTOR PERSONAL |
Nombre de persona |
Sreedhar, Aswin. |
856 ## - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
URL |
<a href="https://www.accessengineeringlibrary.com/content/book/9780071635196">https://www.accessengineeringlibrary.com/content/book/9780071635196</a> |
082 00 - CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
Clasificación |
621.395 |
edición |
22 |
650 #0 - MATERIA GENERAL |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Metal oxide semiconductors, Complementary |
Subdivisión general |
Design and construction. |
650 #0 - MATERIA GENERAL |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Integrated circuits |
Subdivisión general |
Very large scale integration |
-- |
Design and construction |
650 #0 - MATERIA GENERAL |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nanoelectronics. |
942 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL KOHA |
Tipo de ítem koha |
E-Book |