000 00531nam a2200169Ia 4500
001 22285
008 200505s9999 xx 000 0 und d
040 _aEC-QuPUC
_bspa
082 0 4 _a621.38152/R412t
100 1 _aRichman, Paul.
245 0 _aTransistores de efecto de campo a metal y oxido.
260 _aBuenos Aires, Argentina
_bCentro Regional de Ayuda Tecnica, Agencia para el Desarrollo Internacional.
_c1973
300 _a142 p. 23 cm.
_b
_c
504 _aIncluye bibliografia.
650 4 _aSEMICONDUCTORES.
999 _c51060
_d51060
942 0 0 _00